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          MOS管快速關(guān)斷,加速mos管關(guān)斷電路介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2025-05-23 18:45:05
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          MOS管快速關(guān)斷,加速mos管關(guān)斷電路介紹
          提升驅(qū)動(dòng)電流能力的電路方案
          在電子電路設(shè)計(jì)中,僅依靠單片機(jī) IO 口來(lái)驅(qū)動(dòng) MOS 管以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)操作較為困難,畢竟單片機(jī) IO 口的驅(qū)動(dòng)能力有限。采用兩個(gè)三極管搭建推挽輸出驅(qū)動(dòng)電路是一種成本較低且效果良好的解決方案。
          MOS管快速關(guān)斷
          一、PNP 加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路
          (一)工作原理
          利用 PNP 三極管加速 NMOS 關(guān)斷的電路設(shè)計(jì)如下圖所示。在開啟狀態(tài)下,電流經(jīng)二極管 D 流通;而在關(guān)斷狀態(tài)下,PNP 三極管則主動(dòng)從 G 極汲取電流。
          MOS管快速關(guān)斷
          (二)動(dòng)態(tài)過(guò)程電流流向
          下圖展示了 PNP 加速 NMOS 關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程電流流向。當(dāng)控制端從低電平切換至高電平時(shí),Vbe > 0,Q2 關(guān)斷,充電電流經(jīng)二極管 D 流入,Q1 開啟;當(dāng)控制端從高電平切換至低電平時(shí),G 極電平不會(huì)瞬間改變,此時(shí) Vbe < -0.7 V,Q2 導(dǎo)通,Q2 快速?gòu)?G 極汲取電荷,促使 G 極電平迅速下降,實(shí)現(xiàn) Q1 的快速關(guān)斷。
          MOS管快速關(guān)斷
          (三)電路特點(diǎn)與元件作用
          PNP 加速關(guān)斷電路因其加速三極管的作用,可實(shí)現(xiàn)瞬間的柵源短路,從而達(dá)到最短的放電時(shí)間。二極管的加入一方面可保護(hù)三極管基極,另一方面為導(dǎo)通電流提供回路及偏置。
          (四)優(yōu)缺點(diǎn)分析
          該電路的優(yōu)點(diǎn)在于能夠近似實(shí)現(xiàn)推拉效果,加速效果顯著。其主要缺點(diǎn)是由于柵極經(jīng)過(guò)兩個(gè) PN 節(jié),無(wú)法真正使柵極達(dá)到 0 V(GND),但此時(shí)電壓已足夠低,不會(huì)影響 NMOS 的完全關(guān)斷。
          二、NPN 加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路
          (一)工作原理
          使用 NPN 三極管加速 PMOS 關(guān)斷的電路如下圖所示。在關(guān)斷時(shí),電流經(jīng)二極管 D 流通;而在導(dǎo)通時(shí),NPN 三極管則主動(dòng)向 G 極灌入電流。
          MOS管快速關(guān)斷
          (二)動(dòng)態(tài)過(guò)程電流流向
          下圖展示了 NPN 加速 PMOS 關(guān)斷的動(dòng)態(tài)過(guò)程電流流向。當(dāng)控制端從高電平切換至低電平時(shí),Vbe < 0,Q1 關(guān)斷,放電電流經(jīng)二極管 D 流出,Q2 開啟;當(dāng)控制端從低電平切換至高電平時(shí),G 極電平不會(huì)瞬間改變,此時(shí) Vbe > 0.7 V,Q1 導(dǎo)通,Q1 快速向 G 極灌入電荷,促使 G 極電平迅速上升,實(shí)現(xiàn) Q2 的快速關(guān)斷。
          MOS管快速關(guān)斷
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