加入軟啟動可平緩電源電壓上升沿，限制啟動時的浪涌電流。通過電容充電時間實現(xiàn)MOS管導(dǎo)通，實現(xiàn)軟開啟功能。大電容和其他負(fù)載都可能引起浪涌電流。
帶不帶軟啟動有什么區(qū)別？來看這個MOS管電源開關(guān)電路
這是沒有做軟開啟的電源電壓，上升時十分陡峭。
這是加入了軟開啟，上升沿變得平緩。
而只要增加一個電容和一個電阻，就能實現(xiàn)電路的軟啟動功能.#熱點引擎計劃#
當(dāng)一個電源電壓為5V時，負(fù)載為一個大容量電容，電源會瞬間開啟，讓電壓瞬間上升達到5V，此時電容充電電流會非常大。如果將這個電源電壓上升到2.5V，這個電流就會小很多，這個時候就需要軟啟動了。
軟啟動：讓電源緩慢開啟，以限制電源啟動時的 浪涌電流。
它是利用電容C1的充電時間讓MOS管導(dǎo)通，然后實現(xiàn)了軟開啟的功能。
當(dāng)輸入信號為低電平或者高阻時，電源+5V上電，Q2基極被拉低到地，三極管關(guān)閉，隨后MOS管Q1關(guān)閉。
這是因為電源+5V還不穩(wěn)定，電源無法打開向后級電路輸出。
此時電源+5V剛上電，MOS管的G極和S極同等電勢，也就是說Vgs=0，Q1關(guān)閉。
這里的R4電阻的作用是當(dāng)輸入信號為高阻時，避免Q2浮空。
當(dāng)電源上電完成后，GS兩端都為5V，Vgs保持為0
此時將輸入信號設(shè)為高電平，大概3.3V，Q2的基極為0.7V，電流為0.26mA：
(3.3V - 0.7V) / 基極電阻R3 = 0.26mA
當(dāng)Q2飽和導(dǎo)通，Vce≈0；
電容C1通過電阻R2充電，C1與G極相連端的電壓由原本的5V緩慢下降為0V，Vgs電壓逐漸增大；Q1MOS管緩慢打開，最后完全打開，Vgs=-5V，實現(xiàn)軟開啟。
這是MOS管打開時的電流流向：
當(dāng)電容容量越大，電壓越高，時間越短，電流就會越大，浪涌電流就會形成。
而這個電路利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1 的導(dǎo)通，實現(xiàn)了軟開啟的功能。
不過大電容只是形成浪涌電流的原因之一，其他負(fù)載也會引起浪涌電流。
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