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        1. 熱門(mén)關(guān)鍵詞:
        2. 橋堆
        3. 場(chǎng)效應(yīng)管
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        5. 二極管
        6. 芯片結(jié)溫分析,芯片結(jié)溫計(jì)算,公式介紹
          • 發(fā)布時(shí)間:2024-06-07 18:47:35
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          芯片結(jié)溫分析,芯片結(jié)溫計(jì)算,公式介紹
          芯片結(jié)溫(Tj):
          結(jié)溫(Junction Temperature)是芯片中開(kāi)關(guān)MOS管等器件的實(shí)際工作溫度。芯片內(nèi)部是由于一堆材料做成的各種微小的元器件,有微小的MOS,二極管,集成電阻,電容等等,它們?cè)诮?jīng)過(guò)電流時(shí),也會(huì)發(fā)熱,尤其在一些過(guò)大電流的功率芯片的應(yīng)用中,結(jié)溫就成了一個(gè)必須考慮的參數(shù),超過(guò)了就會(huì)使這些內(nèi)部元器件損壞,由于這些內(nèi)部的結(jié)構(gòu)器件距離芯片外部還有封裝隔離,因此它通常高于外殼溫度(Case Temperature)高。也就是會(huì)高于芯片標(biāo)定的工作溫度。
          結(jié)溫產(chǎn)生機(jī)制
          結(jié)溫主要產(chǎn)生在PN結(jié)區(qū)域。
          從PN結(jié)制造工藝上,核心原理是根據(jù)雜質(zhì)補(bǔ)償,通過(guò)摻雜獲得,如下圖, P-type 摻雜和 N-type 摻雜接觸后,中間形成一個(gè)耗盡區(qū)(或者稱(chēng)為空間電荷區(qū),如下圖右上);兩個(gè)的交接線(xiàn)周?chē)纬梢粋€(gè)PN結(jié)(如下圖左上)。
          芯片結(jié)溫計(jì)算 公式
          芯片結(jié)溫計(jì)算 公式
          首先,電子空穴的復(fù)合也是一個(gè)發(fā)熱是結(jié)溫的主要熱源;復(fù)合遵循能量守恒原則,電子和空穴復(fù)合時(shí)應(yīng)釋放一定的能量,最后在內(nèi)部都轉(zhuǎn)換為熱能。
          復(fù)合頻率越高產(chǎn)生熱越高,隨之會(huì)加速載流子速率μ,電場(chǎng)E相對(duì)不變,復(fù)合率和結(jié)溫形成閉合正反饋,導(dǎo)致結(jié)溫持續(xù)升高。
          其次,PN結(jié)的工藝也不可能極端完美,電子/空穴的的注入效率達(dá)不到100%, 即在工作時(shí)除P區(qū)向N區(qū)注入電荷(Hole)外,N區(qū)也會(huì)向P區(qū)注入電荷(Electron);同樣也會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫升高。
          最后,器件兩端的陰極Cathode,陰極Athode 2個(gè)的歐姆接觸(ohmic contact)會(huì)產(chǎn)生熱量,兩端形成熱屏障,阻礙內(nèi)部的熱量更難及時(shí)通過(guò)熱傳導(dǎo)方式消散,同樣會(huì)導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)溫升高。
          所以如果希望保證器件工作正常,務(wù)必保證芯片結(jié)溫在可承受范圍內(nèi)。
          芯片結(jié)溫計(jì)算
          熱阻參數(shù)介紹
          芯片結(jié)溫計(jì)算 公式
          RθJA 值越大,表示此 封裝的散熱效率越低,而值越小,表示器件散熱效率越高。 封裝尺寸越小,RθJA 值通常越大。如上圖DCK(SCK70)熱阻307.6°C/W,意味著芯片每消耗1W,芯片溫度就會(huì)升高 307.6°C 。
          表中建議的芯片工作結(jié)溫介于 -55°C 至 150°C 之間。
          結(jié)溫計(jì)算公式:
          芯片結(jié)溫計(jì)算 公式
          其中 TJ 為結(jié)溫,TA 為環(huán)境溫度,RθJA 為熱阻(取自數(shù)據(jù)表),PD 為功耗,Iground 為接地電流(取自數(shù)據(jù)表)。
          下面給出一個(gè)簡(jiǎn)單示例,使用 TPS732 將 5.5V 電壓下調(diào)至 3V,輸出電流為 250mA,采用 SOT-23 和 SOT-223 兩種封裝。
          PD=[(5.5V-3V) x 250mA] + (5.5V x 0.95mA) = 0.63W
          SOT - 23: TJ = 25°C + (205.9°C/W x 0.63W) = 154.72°C
          SOT - 223: TJ = 25°C + (53.1°C/W x 0.63W) = 58.45°C
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