MOS管和IGBT都是常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)管，常用在開(kāi)關(guān)電源、變頻器、電動(dòng)汽車等的電路板中。IGBT和MOS管的特性很相似，驅(qū)動(dòng)方法也基本相同，絕大多數(shù)場(chǎng)合它們都是作為電子開(kāi)關(guān)來(lái)使用。
MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，是場(chǎng)效應(yīng)管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管。
igbt和mos管的結(jié)構(gòu)
MOS管有一個(gè)柵極、源極和漏極，其結(jié)構(gòu)如下圖所示：
MOS管的工作原理基于場(chǎng)效應(yīng)原理和金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)MOS管的通道電阻和漏極電流，從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大和開(kāi)關(guān)。
IGBT結(jié)構(gòu)由n型硅襯底、p型基區(qū)、n+型集電區(qū)和MOSFET柵極構(gòu)成：
與雙極晶體管類似，當(dāng)p型基區(qū)和n+型集電區(qū)間的正向電壓增大時(shí)，少數(shù)載流子開(kāi)始注入p型基區(qū)，同時(shí)由于MOSFET柵極的控制，使得整個(gè)器件能夠更快、更準(zhǔn)確地切換。在導(dǎo)通狀態(tài)下，整個(gè)器件的電壓降很小，功耗也較低。而在截止?fàn)顟B(tài)下，器件的導(dǎo)通電阻非常大，幾乎不導(dǎo)電。
其工作原理是結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的特點(diǎn)，既有MOSFET輸入電阻低的優(yōu)點(diǎn)，又有雙極晶體管輸出電流大的特點(diǎn)。
從管腳來(lái)看，IGBT的3個(gè)管腳（正面）依次為柵極、集電極和發(fā)射極，MOS管的3個(gè)管腳（正面）依次為柵極、漏極和源極。從柵極管腳上可以看出，IGBT和MOS管都屬于絕緣柵型管，而IGBT的另2個(gè)管腳“集電極和發(fā)射極”顯然和三極管的管腳相同。
igbt和mos管的區(qū)別
結(jié)構(gòu)不同：MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，由柵極、漏極和源極組成，柵極和漏極之間是一個(gè)p型或n型溝道。而IGBT是由一個(gè)n型溝道和一個(gè)pnp結(jié)構(gòu)組成，它由一個(gè)門極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極組成，其中集電極和發(fā)射極之間是一個(gè)n型溝道。
工作原理不同：MOS管的柵極電壓控制通道電阻，從而控制漏極電流;而IGBT的控制極(門極)控制n型溝道的導(dǎo)電性質(zhì)，從而控制集電極和發(fā)射極之間的導(dǎo)通電阻，從而控制集電極電流。
導(dǎo)通電阻不同：IGBT的導(dǎo)通電阻比MOS管小，因此IGBT在高壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)合中更為常用。同時(shí)，IGBT在導(dǎo)通電阻小的情況下也具有較高的開(kāi)關(guān)速度，因此在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中也有廣泛應(yīng)用。
驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜度不同：由于IGBT的電壓和電流的極值較大，因此需要較復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)電路才能確保其可靠性和穩(wěn)定性。而MOS管的驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單。
成本不同：MOS管的成本通常比IGBT低，因?yàn)镸OS管的制造工藝更為成熟，而IGBT的制造工藝和材料成本相對(duì)較高。
igbt和mos管的優(yōu)缺點(diǎn)
MOS的應(yīng)用，在中小功率中比較占優(yōu)勢(shì)，特別是高的開(kāi)關(guān)頻率。
IGBT的應(yīng)用，在大功率應(yīng)用中占優(yōu)勢(shì)，因?yàn)閂ce在高壓大電流的時(shí)候損耗比MOS的Rdson的低。但是IGBT的開(kāi)關(guān)損耗比較大，所以目前仍舊在一些中低頻應(yīng)用比較多，集中在20KHz左右。
MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，工作頻率高，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大，在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。
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