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        6. 結(jié)溫,junction temperature,半導(dǎo)體結(jié)溫介紹
          • 發(fā)布時間:2024-05-20 17:24:58
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          結(jié)溫,junction temperature,半導(dǎo)體結(jié)溫介紹
          結(jié)溫(Junction Temperature)是電子設(shè)備中半導(dǎo)體(晶圓、裸片)的實際工作溫度。它通常較封裝外殼溫度(Case Temperature)高。溫度差等于其間熱的功率乘以熱阻。
          結(jié)溫可以衡量從半導(dǎo)體晶圓到封裝器件外殼間的散熱所需時間以及熱阻。
          最高結(jié)溫(Maximum junction temperature),器件結(jié)溫越低越好。
          最高結(jié)溫會在器件的datasheet數(shù)據(jù)表中給出,可以用來計算在給定功耗下器件外殼至環(huán)境的熱阻。這可以用來選定合適的散熱裝置。
          如果器件結(jié)溫超過最高工作溫度,器件中的晶體管就可能會被破壞,器件也隨即失效,所以應(yīng)采取各種途徑降低結(jié)溫或是讓結(jié)溫產(chǎn)生的熱量盡快散發(fā)至環(huán)境中。
          首先必須保證芯片的結(jié)溫在其可以承受的范圍之內(nèi)。工業(yè)級產(chǎn)品一般規(guī)定范圍是-20~85℃,軍品或者汽車級能達到-40~125℃。
          半導(dǎo)體結(jié)溫分析
          結(jié)溫產(chǎn)生機制
          結(jié)溫主要產(chǎn)生在PN結(jié)區(qū)域。從PN結(jié)制造工藝上,核心原理是根據(jù)雜質(zhì)補償,通過摻雜獲得,如下圖, P-type 摻雜和 N-type 摻雜接觸后,中間形成一個耗盡區(qū)(或者稱為空間電荷區(qū),如下圖右上);兩個的交接線周圍形成一個PN結(jié)(如下圖左上)。
          半導(dǎo)體結(jié)溫
          PN結(jié) 結(jié)構(gòu)圖
          半導(dǎo)體結(jié)溫
          PN結(jié)電子空穴復(fù)合發(fā)熱
          首先,電子空穴的復(fù)合也是一個發(fā)熱是結(jié)溫的主要熱源;復(fù)合遵循能量守恒原則,電子和空穴復(fù)合時應(yīng)釋放一定的能量,最后在內(nèi)部都轉(zhuǎn)換為熱能。
          復(fù)合頻率越高產(chǎn)生熱越高,隨之會加速載流子速率μ,電場E相對不變,復(fù)合率和結(jié)溫形成閉合正反饋,導(dǎo)致結(jié)溫持續(xù)升高。
          其次,PN結(jié)的工藝也不可能極端完美,電子/空穴的的注入效率達不到100%, 即在工作時除P區(qū)向N區(qū)注入電荷(Hole)外,N區(qū)也會向P區(qū)注入電荷(Electron);同樣也會導(dǎo)致結(jié)溫升高。
          最后,器件兩端的陰極Cathode,陰極Athode 2個的歐姆接觸(ohmic contact)會產(chǎn)生熱量,兩端形成熱屏障,阻礙內(nèi)部的熱量更難及時通過熱傳導(dǎo)方式消散,同樣會導(dǎo)致內(nèi)部結(jié)溫升高。
          如果希望保證器件工作正常,務(wù)必保證芯片結(jié)溫在可承受范圍內(nèi)。
          半導(dǎo)體結(jié)溫
          器件溫度散熱圖
          結(jié)溫公式
          結(jié)溫為:熱阻×輸入功率+環(huán)境溫度,因此如果提高接合溫度的最大額定值,即使環(huán)境溫度非常高,也能正常工作。
          一個芯片結(jié)溫的估計值Tj,可以從下面的公式中計算出來:
          Tj=Ta+( R θJA × PD )
          Ta = 封裝的環(huán)境溫度 ( o C )
          R θJA = P-N結(jié)至環(huán)境的熱阻 ( o C / W ) (數(shù)據(jù)手冊一般會提供)
          PD = 封裝的功耗即功率 (W) 芯片功耗 = Pin-Pout
          關(guān)于PD,例如如果輸入電流為12V,采用78M05進行穩(wěn)壓,穩(wěn)壓到5V,最大輸出電流為0.3A ,則78M05消耗的(最大)功耗為P=(12V-5V)x 0.3A=2.1W
          推薦以Tj 的最高容許溫度的80%為基準(zhǔn)來進行熱量設(shè)計。
          降低結(jié)溫的途徑:
          1、減少器件本身的熱阻;
          2、良好的二次散熱機構(gòu);
          3、減少器件與二次散熱機構(gòu)安裝介面之間的熱阻;
          4、控制額定輸入功率;
          5、降低環(huán)境溫度;
          結(jié)溫對半導(dǎo)體的影響:
          半導(dǎo)體結(jié)溫
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