• <legend id="ezy3w"></legend>
      1. <blockquote id="ezy3w"><p id="ezy3w"></p></blockquote>
        <style id="ezy3w"></style>

        <sub id="ezy3w"></sub>
        <blockquote id="ezy3w"><rt id="ezy3w"></rt></blockquote>

          日韩一区二区三区日韩精品,日本一区二区久久人妻高清,成人看的污污超级黄网站免费,国产精品久久久久鬼色,国产精品免费久久久免费,国产午夜视频在线观看,av偷拍亚洲一区二区三区,男女无遮挡激情视频

          您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

          深圳市烜芯微科技有限公司

          ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
          二極管、三極管、MOS管、橋堆

          全國服務熱線:18923864027

        1. 熱門關鍵詞:
        2. 橋堆
        3. 場效應管
        4. 三極管
        5. 二極管
        6. MOS管損壞的主要原因與解決方案
          • 發布時間:2020-10-21 17:32:43
          • 來源:
          • 閱讀次數:
          MOS管損壞的主要原因與解決方案
          MOS管
          MOS 在控制器電路中的工作狀態:開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態、關斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態。
          MOS 主要損耗也對應這幾個狀態,開關損耗(開通過程和關斷過程),導通損耗,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 MOS 承受規格之內,MOS 即會正常工作,超出承受范圍,即發生損壞。而開關損耗往往大于導通狀態損耗,不同 MOS 這個差距可能很大。
          MOS 損壞主要原因:
          過流 ---------- 持續大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;
          過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;
          靜電 ---------- 靜電擊穿,CMOS 電路都怕靜電;
          MOS 開關原理(簡要)。MOS 是電壓驅動型器件,只要柵極和源級間給一個適當電壓,源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為 MOS 內阻,就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了 MOS 芯片能承受的最大導通電流(當然和其它因素有關,最有關的是熱阻)。內阻越小承受電流越大(因為發熱小)。
          MOS 問題遠沒這么簡單,麻煩在它的柵極和源級間,源級和漏級間,柵極和漏級間內部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程(電容電壓不能突變),所以 MOS 源級和漏級間由截止到導通的開通過程受柵極電容的充電過程制約。
          然而,這三個等效電容是構成串并聯組合關系,它們相互影響,并不是獨立的,如果獨立的就很簡單了。其中一個關鍵電容就是柵極和漏級間的電容 Cgd,這個電容業界稱為米勒電容。這個電容不是恒定的,隨柵極和漏級間電壓變化而迅速變化。這個米勒電容是柵極和源級電容充電的絆腳石,因為柵極給柵 - 源電容 Cgs 充電達到一個平臺后,柵極的充電電流必須給米勒電容 Cgd 充電,這時柵極和源級間電壓不再升高,達到一個平臺,這個是米勒平臺(米勒平臺就是給 Cgd 充電的過程),米勒平臺大家首先想到的麻煩就是米勒振蕩。(即,柵極先給 Cgs 充電,到達一定平臺后再給 Cgd 充電)
          因為這個時候源級和漏級間電壓迅速變化,內部電容相應迅速充放電,這些電流脈沖會導致 MOS 寄生電感產生很大感抗,這里面就有電容,電感,電阻組成震蕩電路(能形成 2 個回路),并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。
          Gs 極加電容,減慢 MOS 管導通時間,有助于減小米勒振蕩。防止 MOS 管燒毀。
          過快的充電會導致激烈的米勒震蕩,但過慢的充電雖減小了震蕩,但會延長開關從而增加開關損耗。MOS 開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的導通內阻(導通內阻一般低壓 MOS 只有幾毫歐姆)的一個轉變過程。
          比如一個 MOS 最大電流 100a,電池電壓 96v,在開通過程中,有那么一瞬間(剛進入米勒平臺時)MOS 發熱功率是 P=V*I(此時電流已達最大,負載尚未跑起來,所有的功率都降落在 MOS 管上),P=96*100=9600w!這時它發熱功率最大,然后發熱功率迅速降低直到完全導通時功率變成 100*100*0.003=30w(這里假設這個 MOS 導通內阻 3 毫歐姆)。開關過程中這個發熱功率變化是驚人的。
          如果開通時間慢,意味著發熱從 9600w 到 30w 過渡的慢,MOS 結溫會升高的厲害。所以開關越慢,結溫越高,容易燒 MOS。為了不燒 MOS,只能降低 MOS 限流或者降低電池電壓,比如給它限制 50a 或電壓降低一半成 48v,這樣開關發熱損耗也降低了一半。不燒管子了。
          這也是高壓控容易燒管子原因,高壓控制器和低壓的只有開關損耗不一樣(開關損耗和電池端電壓基本成正比,假設限流一樣),導通損耗完全受 MOS 內阻決定,和電池電壓沒任何關系。
          其實整個 MOS 開通過程非常復雜。里面變量太多。總之就是開關慢不容易米勒震蕩,但開關損耗大,管子發熱大,開關速度快理論上開關損耗低(只要能有效抑制米勒震蕩),但是往往米勒震蕩很厲害(如果米勒震蕩很嚴重,可能在米勒平臺就燒管子了),反而開關損耗也大,并且上臂 MOS 震蕩更有可能引起下臂 MOS 誤導通,形成上下臂短路。
          所以這個很考驗設計師的驅動電路布線和主回路布線技能。最終就是找個平衡點(一般開通過程不超過 1us)。開通損耗這個最簡單,只和導通電阻成正比,想大電流低損耗找內阻低的。
          烜芯微專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等20年,工廠直銷省20%,4000家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
          相關閱讀
          主站蜘蛛池模板: 色哟哟91| 极品国模无码国产在线观看| 久久精品无码一区二区三区不| 3p露脸在线播放| 国产一区二区亚洲一区二区三区| 国产美女裸身网站免费观看视频| 国产精品无码久久综合| 在线A毛片免费视频观看| 多毛老熟女| 色综合久久88色综合天天免费| 亚洲熟妇自拍偷拍av| 男人狂桶女人高潮嗷嗷| 男人天堂2024手机在线| 一本大道无码人妻| 亚洲午夜福利精品无码不卡| 国产AV福利第一精品| 亚洲精品日韩在线丰满| 天堂网www在线资源网| 夜夜狠狠躁日日| 久久精品人人槡人妻人人玩AV| 亚洲熟女视频| 国产av综合色高清自拍| 欧美黑人一区| 国际视频久久久久久久久国产| 麻豆成人精品国产免费| 亚洲电影天堂在线国语对白| av无码一区二区大桥久未| 国产精品成人一区二区不卡 | 开心久久综合激情五月天| 国产伦精品一区二区三区| 亚洲国产精品久久久久4婷婷| 粗大的内捧猛烈进出小视频| 亚洲自拍偷拍一区二区三区| 丰满大爆乳波霸奶| 精品无码国模私拍视频 | 爆乳一区二区| 亚州无码成人| 五十老熟妇乱子伦免费观看| xxxxbbbb欧美残疾人| 中文国产成人精品久久不卡| 日本亚洲成a人片在线观看|