irf630場效應(yīng)管簡述
IR的第五代HEXFET功率場效應(yīng)管IRF630采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造，具有極低的導(dǎo)通阻抗。IRF630這種特性，加上快速的轉(zhuǎn)換速率，和以堅(jiān)固耐用著稱的HEXFET設(shè)計，使得IRF630成為極其高效可靠、應(yīng)用范圍超廣的器件。
TO-220封裝的IRF630普遍適用于功耗在50W左右的工商業(yè)應(yīng)用，低熱阻和低成本的TO-220封裝，使IRF630得到業(yè)內(nèi)的普遍認(rèn)可。D2Pak封裝的IRF630適用于貼片安裝，比起現(xiàn)有的任何其他貼片封裝，可說是功率最高，導(dǎo)通阻抗最低。TO-262是IRF630的通孔安裝版，適合較低端的應(yīng)用。
irf630場效應(yīng)管特性
先進(jìn)的工藝技術(shù)
貼片安裝（IRF630NS）
低端通孔安裝（IRF630NL）
動態(tài)dv/dt率
175℃工作溫度
快速轉(zhuǎn)換速率
輕松并行
僅需簡單驅(qū)動
無鉛環(huán)保
irf630場效應(yīng)管參數(shù)詳情
漏極電流, Id 最大值：9A
電壓, Vds 最大：200V
開態(tài)電阻, Rds(on)：0.4ohm
電壓 @ Rds測量：10V
電壓, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封裝類型, 替代：SOT-78B
引腳節(jié)距：2.54mm
時間, trr 典型值：170ns
晶體管數(shù)：1
晶體管類型：MOSFET
滿功率溫度：25°C
電容值, Ciss 典型值：540pF
電流, Idm 脈沖：36A
表面安裝器件：通孔安裝
針腳格式：1G 2+插口 D 3S
閾值電壓, Vgs th 最低：2V
閾值電壓, Vgs th 最高：4V
irf630場效應(yīng)管參數(shù)附件
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